CRAQUEADOR PARA UM SISTEMA DE CRESCIMENTO EPITAXIAL POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM VÁCUO

Autores

  • A. Camilo Jr.
  • M. M.G. de Carvalho
  • M. A. Cotta

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v11i1.533

Resumo

Afim de se obter um craqueamento eficiente da fosfina (PH3) num sistema de crescimento epitaxial por deposição química em vácuo, foi construído um craqueador simples em tântalo. A eficiência do craqueamento foi estimada através da razão entre os picos do dímero do fósforo (P2) e PH3 medidos por um espectrômetro de massa (quadrupolo magnético). Constatou-se um aumento de mais de 200 vezes nesta razão comparativamente ao sistema sem craqueador e pelo menos 20 vezes comparativamente ao sistema com uma serpentina que havia sido usada anteriormente para tornar mais eficiente o craqueamento.

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