Filmes finos de AU, com espessuras entre 20 e 70 nm, depositados sobre silício amorfo hidrogenado (a—Si:H) foram submetidos a tratamentos térmicos a temperaturas de 160 e de 250°c durante 40 minutos. Observa—se por microscopia eletrônica de varredura (SEM) e análise de raios X por dispersão de energia (EDXA) que,para estas temperaturas, independentemente da eapessura inicial do filme de Au, há a formação na superfície das amostras de ilhas de Si envolvidas por uma rede de Au—Si. Observa—se também uma elevação nos valores de resistência de folha em função da temperatura para amostras com espessura inicial de Au de 25 nm.
