EPITAXIA DE COMPOSTOS III—V SOBRE SUBSTRATOS DE SILÍCIO Autores R. P. de Carvalho I. F. L. Dias J. C. Bezerra A. G. de Oliveira DOI: https://doi.org/10.17563/rbav.v8i1-2.764 Resumo Película heteroepitaxiais do Arseneto de Gálio sobre Silício são obtidas por Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). As amostras são analisadas através das técnicas de Retrodifusão de Rutherford, Fotoluminescência e Espalhamento Raman. Downloads PDF Edição v. 8 n. 1-2 (1989) Seção Artigos
