Neste trabalho é apresentada e discutida a técnica de espectroscopia de deflexão fototérrmica (PDS).
Através desta técnica foram caracterizados oticamente filmes intrínsecos de silício amorfo hidrogenado (a—Si:H) produzidos por RF glow—discharge. Esta caracterização, permitiu a determinação do coeficiente de absorção entre 2,4 eV e 0,8 eV, da borda de Urbach (Eo) e da densidade de estados (N(E)) no gap do semicondutor. Os resultados obtidos ?(1,O eV) =1,44 cm-1, Eo= 51,6 meV e N(EF)=8x1O16 ev-1 cm—1 próximo ao nível de Fermi atestam a excelente qualidade dos filmes intrínsecos de a—Si:H produzidos no nosso laboratório e viabilizam sua aplicação como camada intrínseca de uma célula solar, de a—Si;H.
