DEPOSIÇÃO DE FILMES FINOS DE In203:Sn POR EVAPORAÇÃO REATIVA

Autores

  • L. R. O. Cruz
  • N. Dhere
  • I. Matoso
  • R. Alves
  • C. L. Ferreira

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v8i1-2.767

Resumo

Filmes finos de In203:Sn (ITO) foram obtidos pelo método de evaporaço reativa a partir de uma liga de In-Sn na presença de oxigênio ionizado. As propriedades dos filmes foram investigadas como função da temperatura do substrato. Para caracterizar as propriedades elétricas, realizou-se medidas de efeito Hali. Para a anélie ótica foram feitas medidas de transmitância enquanto que a cristalinidade foi observada através da técnica de difração de elétrons.

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