MODELAMENTO COMPUTACIONAL DO PROCESSO DE LPCVD: UNIFORMIDADE RADIAL

Autores

  • M. Tsuzuki
  • A. C. Rodolpho
  • V. Baranauskas

DOI:

https://doi.org/10.17563/rbav.v8i1-2.794

Resumo

Discutimos o modelamento matemático do processo de deposição química a partir da fase vapor em baixas pressões (LPCVD), considerando um reator horizontal de paredes quentes e lâminas empilhadas. Este artigo dedica-se somente ao processo de deposição na região entre-lâminas. Notamos que apesar do transporte dos reagentes nesta região ser dominado pela difusáo, as leis de Fick não podem ser aplicadas diretamente, pois o livre caminho médio dos reagentes é da ordem do espaçamento entre lâminas. Utilizamos o Método de Montecarlo para o modelamento. Resultados preliminares são apresentados para mostrar uma concordância qualitativa em relação à nãao uniformidade de deposição nas bordas das lâminas.

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