MBE (Molecular Beam Epitaxy) é uma técnica de crescimento epitaxial de filmes finos de semicondutores e metais em condições de ultra-alto-vácuo (-10-11 Torr).Esta técnica permite baixas vel. de crescimento (0,1-2,0 ?m/h), e baixas temp. de crescimento (600°C p/GaAs, 700°C p/AlGaAs).
Neste artigo apresentamos os resultados de crescimentos de amostras de GaAs dopado e não dopado que foram caracterizadas por Fotoluminescência, efeiLo Hall e Microscopia Eletrônica de Varredura.
