Filmes finos de In203:Sn foram obtidos pelo método de Evaporação Reativa Ativada. A técnica consiste em se evaporar o material na presença de um gás reativo ionizado (plasma).
Os filmes foram depositados a partir de uma liga In-Sn, com concentrações de estanho variáveis, na presença de oxigênio ionizado.
O trabalho tem como objetivo observar a influência do ambiente ionizado nas caracteristicas elétricas dos filmes. Para isso, analisou-se a variação de propriedades elétricas tais como, mobilidade, concentração de portadores e resistividade, em função da corrente do plasma.
Análises comparativas realizadas entre a- mostras depositadas na presença e na ausência de plasma permitiram concluir que o ambiente ionizado afeta as propriedades dos filmes.
Filmes com resistividade da ordem de 10-3?cm e transmitância de 90% foram obtidos por esta técnica.
